金融界2025年7月4日传来消息，据国家知识产权局公布的信息，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司以及中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共同提交了一项专利申请，该专利名为“半导体结构的形成方法”，其公开号为CN120261287A，申请时间定于2024年1月。
专利摘要揭示了半导体结构制备的步骤，具体包括：首先，制备衬底；其次，在衬底上构建硅层；接着，在硅层之上构建金属层；然后，对金属层与硅层实施初次热处理，以生成初步的金属硅化物层；随后，通过初次酸洗去除残留的金属层；紧接着，在初次酸洗完成后，对初步金属硅化物层进行二次酸洗，以清除在生成初步金属硅化物层过程中产生的杂质；最后，在二次酸洗之后，对初步金属硅化物层进行二次热处理，从而形成最终的金属硅化物层。从工艺流程着手，我们避免了人为干预那些难以预料的环保指标，确保了即便在空气过滤器过滤效率各异的情况下，金属硅化物的生长也能保持良好。这一做法打破了现有金属硅化物工艺对杂质污染的敏感性，同时解决了对复杂环境来源难以预防的问题，从而显著提高了产品的合格率。
天眼查的数据显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，这家公司成立于2002年，坐落在北京，主要业务涵盖计算机、通信及其他电子设备制造。其注册资本达到了一亿美元。经天眼查大数据分析
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，这家公司诞生于2000年，其总部设于上海市。它主要从事计算机、通信及其他电子设备的制造业务。该企业的注册资本高达244000万美元。借助天眼查进行的大数据分析显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司对外投资涉及4家企业，参与招投标活动达127项，在财产线索方面，拥有商标信息150条，专利信息5000条，并且企业还持有442项行政许可。
